SiC-Halbleiter

Als Teil des ehemaligen weltweit berühmten Teams, das als erstes funktionierende Halbleiter auf SiC-Basis erfolgreich entwickelte, verfügt der Firmengründer und Inhaber Dr. Ranbir Singh auf diesem Gebiet über langjährige Erfahrung und fundiertes Know-how.

Unter dem Namen der durch ihn 2004 gegründeten GeneSiC Semiconductor Inc. entwickelt er seither seine eigenen Chips als diskrete Bauteile und als Bare Die – ausschließlich auf Siliziumkarbid-Basis.

Unser Design- und Testhaus befindet sich in der Hauptstadt der USA, Washington D.C. Wir fertigen unsere Chips in der X-FAB in Texas auf 6“-SiC-Substraten. Das Packaging findet in Asien statt. Typisch Fabless. Das garantiert eine besonders effiziente Kostenstruktur.

Wir sind hoch spezialisiert auf SiC Schottkydioden und die neuesten Mosfet-Transistoren. Alles in der neuesten Thin-Wafer-Generation und gefertigt auf großen 6-Zoll-Siliziumkarbid-Wafern.

Diskrete Dioden und MOSFET auf SiC-Basis.
Gerne auch als Chip.

Halbleiter aus Siliziumkarbid haben längst ihren Platz in modernen Schaltregler-Architekturen gefunden. Wird wertgelegt auf eine hohe Integrationsdichte oder einen hohen Wirkungsgrad, können Bauteile aus Siliziumkarbid ihre physikalischen Vorteile voll ausspielen. Durch ihre kurzen Schaltzeiten können oft die Schaltfrequenz erhöht, die passiven Bauteile verkleinert und in Summe die Systemkosten reduziert werden.

Für eine einfache Erhöhung des Wirkungsgrades können sie Ihre aktuell verwendeten Silizium-Halbleiter direkt durch unsere THT, SMD oder Schraubanschluss-Dioden und Mosfets ersetzen.